Avalanche Breakdown

定义 Definition

雪崩击穿：指在半导体器件（尤其是二极管、晶体管的结区）中，反向电压升高到一定程度后，载流子被强电场加速并发生碰撞电离，产生更多电子-空穴对，形成“倍增效应”，使电流突然大幅上升的现象。（属于反向击穿的一种机制；与“齐纳击穿”并列常见。）

例句 Examples

The diode entered avalanche breakdown when the reverse voltage exceeded its rating.
当反向电压超过额定值时，二极管进入了雪崩击穿状态。

In high-voltage circuits, designers add protective components because avalanche breakdown can cause large surge currents and damage sensitive devices.
在高压电路中，设计人员会加入保护元件，因为雪崩击穿可能导致很大的浪涌电流并损坏敏感器件。

发音 Pronunciation (IPA)

/ˈævəˌlæntʃ ˈbreɪkˌdaʊn/

词源 Etymology

avalanche 原义是“雪崩”，引申为“连锁式、迅速扩大的增长”；在半导体中用来比喻载流子“倍增”像雪崩一样迅速扩散。breakdown 意为“击穿/崩溃”，在电学语境中特指绝缘或结区在高电场下失去阻断能力、导通电流骤增的状态。因此 avalanche breakdown 直译即“雪崩式击穿”。

相关词 Related Words

• Avalanche
• Breakdown
• Zener Breakdown
• Reverse Bias
• P-N Junction
• Impact Ionization
• Breakdown Voltage
• Leakage Current

文学与作品 Literary Works

• Physics of Semiconductor Devices（S. M. Sze & Kwok K. Ng）——讨论结区电场、碰撞电离与雪崩击穿机制。
• Microelectronic Circuits（Sedra / Smith）——在二极管与结型器件章节中涉及击穿与电路保护。
• Semiconductor Device Fundamentals（Robert F. Pierret）——用器件物理角度解释雪崩倍增与击穿条件。